Производитель элементов флеш-памяти, компания SanDisk заключила соглашение с Toshiba о совместной разработке и производстве элементов 3D-памяти многократной записи.

В заявлении SanDisk говорится, что компании будут совершенствовать и кросс-лицензировать технологию, относящуюся к разработке и производству микросхем 3D-памяти, причем Toshiba будет выплачивать SanDisk лицензионную плату в рамках совместного предприятия.

В итоге должна быть создана технология памяти нового типа, основанная на элементах флеш-памяти NAND. Концепция 3D-памяти не нова: данная технология была предложена еще несколько лет назад как способ уменьшить стоимость элементов памяти и продлить срок хранения информации до 100 лет. Matrix Semiconductor создала конструкцию элемента 3D-памяти, составив элементы NAND не по горизонтали, как обычно, а по вертикали. Компания сотрудничала с Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC) в области производства таких микросхем, но они так и не нашли широкого применения.

SanDisk купила Matrix в 2005 году. Одно из ключевых отличий совместного предприятия SanDisk/Toshiba от Matrix заключается в том, что микросхемы Matrix не допускали перезаписи, – это были элементы постоянной памяти. SanDisk и Toshiba собираются производить элементы памяти с возможностью многократной перезаписи.

Toshiba сама несколько лет назад разработала элементы 3D-памяти многократной записи BiCS (Bit Cost Memory) и выпустила рабочие образцы таких микросхем, но они также не получили широкого признания. Теперь SanDisk и Toshiba намерены объединить свою интеллектуальную собственность и опыт, чтобы продолжить разработку микросхем и технологии производства 3D-памяти. Финансовые условия сотрудничества компании не раскрывают.

3D-память многократной записи состоит из составленных по вертикали диодных матриц, и в настоящее время существует технология массового производства четырехслойных элементов с технологической нормой 80 нм. В 2003 году Matrix демонстрировала образцы восьмислойной сборки из 250-нм элементов.

Редакция мировых новостей ИТ